温柔1994
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LED芯片质量问题原因分析芯片质量问题原因分析芯片质量问题原因分析芯片质量问题原因分析
1. 静电对LED芯片造成损伤,使LED芯片的PN结失效,漏电流增大,变成一个电阻 静电是一种危害极大的魔鬼,全世界因为静电损坏的电子元器件不计其数,造成数千万美元的经济损失。所以防止静电损坏电子元器件,是电子行业一项很重要的工作,LED封装、应用的企业千万不要掉以轻心。任何一个环节出问题,都将造成对LED的损害,使LED性能变坏甚至失效。我们知道人体(ESD)静电可以达到叁千伏左右,足可以将LED芯片击穿损坏,在LED封装生产线,各类设备的接地电阻是否符合要求,这也是很重要的,一般要求接地电阻为4欧姆,有些要求高的场合其接地电阻甚至要达到≤2欧姆。这些要求都为电子行业的人们所熟悉,关健是在实际执行时是否到位,是否有记录。据笔者了解一般的民营企业,防静电措施做得并不到位,这就是大多数企业查不到接地电阻的测试记录,即使做了接地电阻测试也是一年一次,或几年一次,或有问题时检查一下接地电阻,殊不知接地电阻测试这是一项很重要的工作,每年至少4次(每季度测试一次),一些要求高的地方,每月就要作一次接地电阻测试。土壤电阻会随着季节的变化而不同,春夏天雨水多,土壤湿接地电阻较容易达到,秋冬季干燥土壤水分少,接地电阻就有可能超过规定数值,作记录是为了保存原始数据,做到日后有据可查。符合ISO2000质量管理体系。测试接地电阻可以自行设计表格,接地电阻测试封装企业、LED应用企业都要做,只要将各种设备名称填于表格内,测出各设备的接地电阻记录在案,测试人签名即可存档。 人体静电对LED的损害也是很大的,工作时应穿防静电服装,配带静电环,静电环应接地良好,有一种不须要接地的静电环防静电的效果不好,建议不使用配带该种产品,如果工作人员违反操作规程,则应接受相应的警示教育,同时也起到告示他人的作用。人体带静电的多少,与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关,秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象,这种静电放电的电压就有叁千伏。而碳化硅衬底芯片的ESD值只有1100伏,蓝宝石衬底芯片的ESD值就更低,只有500—600伏。一个
好的芯片或LED,如果我们用手去拿(身体未作任何防护措施),其结果就可想而知了,芯片或LED将受到不同程度的损害,有时一个好的器件经过我们的手就莫名其妙的坏了,这就是静电惹的祸。 封装企业如果不严格按接地规程办事,吃亏的是企业自己,将造成产品合格率下降,减少企业的经济效益,同样应用LED的企业如果设备和人员接地不良的话也会造成LED的损坏,返工在所难免。按照LED标准使用手册的要求,LED的引线距胶体应不少于3—5毫米,进行弯脚或焊接,但大多数应用企业都没有做到这一点,而只是相隔一块PCB板的厚度(≤2毫米)就直接焊接了,这也会对LED造成损害或损坏,因为过高的焊接温度会对芯片产生影响,会使芯片特性变坏,降低发光效率,甚至损坏LED,这种现象屡见不鲜。有些小企业采用手工焊接,使用40瓦普通烙铁,焊接温度无法控制,烙铁温度在300—400℃以上,过高的焊接温度也会造成死灯,LED引线在高温下膨胀系数比在150℃左右的膨胀系数高好几倍,内部的金丝焊点会因为过大的热胀冷缩将焊接点拉开,造成死灯现象。
2. LED灯内部连线焊点开路造成死灯现象的原因分析 和半导体器件一样,发光二极管(LED)早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分,是提高LED可靠性的积极主动的方法。LED失效分析步骤必须遵循先进行非破坏性、可逆、可重复的试验,再做半破坏性、不可重复的试验,最后进行破坏性试验的原则。采用合适的分析方法,最大限度地防止把被分析器件(DUA)的真正失效因素、迹象丢失或引入新的失效因素,以期得到客观的分析结论。针对LED所具有的光电性能、树脂实心及透明封装等特点,在LED早期失效分析过程中,已总结出一套行之有效的失效分析新方法。 2 LED失效分析方法
2.1 减薄树脂光学透视法 在LED失效非破坏性分析技术中,目视检验是使用最方便、所需资源最少的方法,具有适当检验技能的人员无论在任何地方均能实施,所以它是最广泛地用于进行非破坏检验失效LED的方法。除外观缺陷外,还可以透过封装树脂观察内部情况,对于高聚光效果的封装,由于器件本身光学聚光效果的影响,往往看不清楚,因此在保持电性能未受破坏的条件下,可去除聚光部分,并减薄封装树脂,再进行抛光,这样在显微镜下就很容易观察LED芯片和封装工艺的质量。诸如树脂中是否存在气泡或杂质;固晶和键合位置是否准确无误;支架、芯片、树脂是否发生色变以及芯片破裂等失效现象,都可以清楚地观察到了。
2.2 半腐蚀解剖法 对于LED单灯,其两根引脚是靠树脂固定的,解剖时,如果将器件整体浸入酸液中,强酸腐蚀祛除树脂后,芯片和支架引脚等就完全裸露出来,引脚失去树脂的固定,芯片与引脚的连接受到破坏,这样的解剖方法,只能分析DUA的芯片问题,而难于分析DUA引线连接方面的缺陷。因此我们采用半腐蚀解剖法,只将LEDDUA单灯顶部浸入酸液中,并精确控制腐蚀深度,去除LEDDUA单灯顶部的树脂,保留底部树脂,使芯片和支架引脚等完全裸露出来,完好保持引线连接情况,以便对DUA全面分析。图1所示为半腐蚀解剖前后的φ5LED,可方便进行通电测试、观察和分析等试验。
浅谈如何测试LED芯片,荧光胶,荧光粉方法 面对LED市场的混乱,林林总总,鱼龙混杂的辅料市场,确实让很多新生代的封装工程人员搞得很是迷惑。以下提出几种测试荧光胶,荧光粉,芯片的快速简单的方法供大家参考。
1. 如何测试芯片的稳定性 采用不同芯片厂家的芯片用同一家同一批次的硅胶,同一家同一批次的荧光粉,用同样的制程工艺来封装完后,测试起始光通量。然后用700nm电流去老化96小时,192小时后,得到的光通量,和色坐标的漂移性。最后测试出来的参数可以很快判定,芯片厂家的质量。
2. 如何测试荧光胶 方法与上面一样,用同一家同一批次的芯片,同一家同一批次的荧光粉,再用两家不同的荧光胶。采用同样的制程工艺来封装完后,测试起始光通量。然后用700nm电流去老化96小时,192小时后,得到的光通量,和色坐标的漂移性。最后测试出来的参数可以很快判定,不同荧光胶厂家的质量。
3. 如何测试荧光粉 方法与上面一样,用同一家同一批次的芯片,同一家同一批次的荧光胶,再用两家不同的荧光粉。采用同样的制程工艺来封装完后,测试起始光通量。然后用700nm电流去老化96小时,192小时后,得到的光通量,和色坐标的漂移性。最后测试出来的参数可以很快判定,不同荧光粉厂家的质量。 以上是针对大功率产品测试方法,小功率的可以参考
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